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IXTH16P60P
IXTT16P60P
-16
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-38
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-14
- 7V
-34
- 7V
-12
- 6V
-30
-26
-10
-22
-8
-6
-4
-18
-14
-10
- 6V
-2
- 5V
-6
- 5V
-2
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = -10V
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = - 8A vs.
Junction Temperature
-14
- 7V
2.2
V GS = -10V
2.0
-12
-10
- 6V
1.8
1.6
I D = -16A
I D = - 8A
-8
-6
1.4
1.2
-4
-2
0
- 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = - 8A vs.
Drain Current
-18
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.0
V GS = -10V
T J = 125oC
-16
-14
1.8
1.6
1.4
-12
-10
-8
-6
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
-4
-2
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
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IXTT20P50P 功能描述:MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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